台湾积体电路生产公司（TSMC）宣告将在2018年上半年开始生产7纳米工艺芯片。与此同时台积电还正在研发5纳米芯片制作工艺，并未来将会在2020年上半年投产。　　许多人指出台积电芯片工艺加快前进到10纳米或许对于英特尔来说是一种威胁。

2020年之前英特尔都不可能会大量生产10纳米芯片。英特尔计划将在今年发售新一代14纳米KabyLake芯片，而台积电的10纳米芯片也将在今年问世，相比之下将英特尔芯片扯在身后。

　　英特尔应当忧虑吗？　　许多投资者担忧在台积电的冲击下，英特尔将坐视芯片制造业界领先地位。台积电将要量产10纳米芯片的势头或许预见要将英特尔拖入未来10纳米内芯片的工艺大战中，但现实并不一定会这样。　　随着芯片生产工艺更加向10纳米级别附近，工艺尺寸开始变得不那么最重要了，有所不同厂商对工艺节点的客观定义也有所不同，比如英特尔、台积电、格罗方德和三星。

把一个工艺节点定义为半个插槽中心距和晶体管栅极长度的日子早已一去不复返了，如今一个特定的工艺节点具备许多特征指标，比如芯片面积、功耗、频率调节等等。在制作集成电路的过程中，比如制作微处理器，工艺节点的这些特征很大程度上要求了最后处理器成品的性能。　　最重要的是技术，不是尺寸　　从10纳米工艺起的芯片如果使用了极紫外光刻（EUV）技术，那么工艺节点的尺寸就要变得更加最重要了。

英特尔此前曾想利用近期EUV技术生产10纳米芯片。2014年英特尔又回应说道EUV技术有可能足以在短期内符合10纳米芯片生产工艺。英特尔高级研究员MarkBohr说道：　　我们想要EUV技术制作7纳米芯片，但我不肯确保可以做。于是我们现在开始探寻其他办法。

我实在不会有其他办法。刚开始我们能做很好的电子元器件密度和成本掌控，但如果我有EUV，我能做更佳。所以我们现在还在想要办法利用EUV制作7纳米芯片，但我们恨不肯打包票说道一定能行。

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